12月6日至10日，IEDM国际电子元件会议（International Electron Devices Meeting）将在美国旧金山举行。此前，2025年IEDM大会入选论文名单正式公布，北京大学以21篇入选论文数量，连续五年位居全球高校论文数量榜首，而在产业界，国内DRAM制造龙头长鑫存储凭借在3D FeRAM与采用后端工艺集成的新型多层堆叠DRAM架构上的两项突破性研究成果成功入选，论文数量位居国内企业第一。
IEDM大会始于1955年，是半导体器件领域的全球顶级学术会议，被誉为该领域的“奥林匹克盛会”，享有极高的学术声誉和产业影响力。会议聚焦半导体技术、电子元件设计与制造等领域，涵盖CMOS晶体管、先进存储器、传感器、纳米级元件及功率元件等研究方向，通过技术论文报告、专家会谈等形式展示最新进展。
本次长鑫存储展示的3D FeRAM方案，其核心是单片集成的堆叠式铁电电容。该结构利用铁电材料的非易失性，在单元层面实现了数据断电保存，并凭借三维堆叠工艺显著提高了存储密度。此存储器兼具接近DRAM的读写速度与接近NAND的低功耗特性，是前景广阔的新型存储方案。
此外，长鑫存储还展示了全球首个BEOL集成的多层DRAM架构，基于IGZO沟道晶体管完成实验验证，并在优化性能与可靠性方面取得突破，为未来高性能DRAM的发展开辟新路径。
扎实的技术研发实力反哺并赋能产品创新。长鑫存储目前已实现从DDR4、DDR5、LPDDR4X、LPDDR5到LPDDR5X的全面产品布局。
今年10月，长鑫推出LPDDR5X系列产品，提供12Gb和16Gb两种单颗粒容量，最高速率可达10667Mbps，达到国际主流水平，较上一代LPDDR5提升了66%，同时可以兼容LPDDR5，功耗则比LPDDR5降低了30%。据了解，长鑫正在研发0.58mm超薄LPDDR5X芯片，量产后有望成为全球最薄的DRAM产品。
而在标准内存领域，长鑫存储于11月23日最新发布新一代DDR5系列产品，最高速率达8000Mbps，最高颗粒容量24Gb，并同步推出UDIMM、SODIMM、CUDIMM、CSODIMM、RDIMM、MRDIMM、TFF MRDIMM等七大模组及新型产品，覆盖服务器、工作站及个人电脑等全场景领域，标志着国产存储芯片具备与国际一线大厂同台竞技的技术实力。
Counterpoint预测，2026年主要芯片厂商的DRAM产量将增长超过20%。研究总监MS Hwang表示：“长鑫可能会带来超预期表现。”公开信息显示，长鑫存储已于今年10月成功通过上市辅导验收。业内人士对此分析，长鑫多元的产品线布局与多年深耕本土市场的深厚积淀，将助力其精准把握DRAM行业产量增长的红利，在资本市场持续释放价值。
